头条新闻！英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据：部分采用台积电N3B工艺，性能再升级

英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据：部分采用台积电N3B工艺，性能再升级

北京 - 2024年6月14日，据外媒报道，近日有部分型号的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器现身海关数据，其中部分采用台积电N3B工艺制造，这标志着英特尔首次在移动处理器中使用台积电的3nm工艺。

采用台积电N3B工艺，性能再突破

台积电N3B工艺是台积电3nm工艺的增强版，相比于上一代N5工艺，性能提升了10-15%，功耗降低了10-15%。这意味着采用N3B工艺的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器将拥有更强劲的性能和更长的续航能力。

Arrow Lake-U/H/HX：全方位升级

除了部分采用台积电N3B工艺之外，英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器还采用了全新的Raptor Lake架构，并整合了Xe核显。据悉，Arrow Lake-U系列处理器将拥有2-10个核心，4-20个线程，主频最高可达5.0GHz；Arrow Lake-H系列处理器将拥有6-16个核心，12-32个线程，主频最高可达5.5GHz；Arrow Lake-HX系列处理器将拥有8-16个核心，16-32个线程，主频最高可达5.7GHz。

英特尔与台积电合作，共创芯片未来

英特尔此次在Arrow Lake-U/H/HX移动处理器中采用台积电N3B工艺，标志着英特尔与台积电合作的进一步深化。两家芯片巨头的合作将有利于推动芯片技术的进步，为消费者带来更高性能、更低功耗的芯片产品。

总而言之，英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器的出现，代表了英特尔在移动处理器领域的新突破。其采用台积电N3B工艺，并拥有全新的Raptor Lake架构和Xe核显，将为用户带来更加强劲的性能和更出色的体验。

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真我GT6再曝猛料：6000尼特极窄直屏，刷新亮度新高度！

realme真我GT系列一直以高性能、高性价比著称，深受年轻消费者喜爱。近日，据可靠消息人士透露，realme即将推出的全新旗舰机型真我GT6，将在屏幕方面带来重大突破。

真我GT6将采用6.7英寸的AMOLED直屏，分辨率为FHD+，支持120Hz刷新率和HDR10+显示。这块屏幕的最大亮点在于其亮度，据称能够达到6000尼特，即使在阳光下也能清晰显示画面内容。

此外，真我GT6的屏幕边框还将进一步缩窄，左右边框仅为1.48mm，上边框为1.85mm，下巴为2.37mm，视觉效果更加震撼。

在其他方面，真我GT6将搭载骁龙8 Gen 3旗舰处理器，配备最高12GB内存和最高512GB存储，并配备5000mAh大电池，支持120W快充。影像方面，真我GT6将采用50MP主摄像头领衔的后置三摄模组，拍照能力十分强悍。

综合来看，真我GT6在屏幕、性能、影像等方面都拥有出色的表现，是一款极具竞争力的旗舰机型。相信这款手机上市后，将会受到广大消费者的热烈追捧。